Điểm Benchmark Đầu Tiên Của Snapdragon 8 Elite Gen 2 Được Tiết Lộ

Trong thế giới công nghệ di động, Qualcomm đã khẳng định vị thế của mình như một ông lớn trong lĩnh vực chip xử lý cho các thiết bị Android. Hầu hết các thương hiệu smartphone cao cấp đều tin tưởng lựa chọn Qualcomm để trang bị cho sản phẩm của mình. Dòng chip Snapdragon 8 Elite là một bước tiến đáng kể trong phân khúc cao cấp của hãng. Mới đây, những thông tin đầu tiên về hiệu năng của thế hệ chip kế nhiệm – Snapdragon 8 Elite Gen 2 – đã được tiết lộ.

Mặc dù Qualcomm vẫn chưa công bố chính thức Snapdragon 8 Elite Gen 2 (dự kiến vào quý III/2025), nhưng sự mong đợi từ phía người dùng và giới công nghệ đang rất lớn. Điều này xuất phát từ những cải tiến vượt bậc về sức mạnh và hiệu suất năng lượng mà Snapdragon 8 Elite đã mang lại. Thành công này chủ yếu nhờ vào việc tích hợp nhân Oryon tùy chỉnh, một yếu tố đã khiến ARM phải đưa Qualcomm ra tòa vì những tranh chấp liên quan đến bản quyền.

Hiệu Năng CPU Tăng Đến 25%

Theo thông tin từ leaker uy tín Jukanlosreve, chip Snapdragon 8 Elite Gen 2 (mã SM8850) đã xuất hiện trong bài kiểm tra Geekbench 6 với kết quả ấn tượng: khoảng 4.000 điểm cho hiệu năng đơn nhân và 13.000 điểm cho hiệu năng đa nhân. Nếu thông tin này chính xác, đây sẽ là một bước nhảy vọt 25% về hiệu năng đơn nhân và 20% về hiệu năng đa nhân so với thế hệ trước đó.

Thêm vào đó, thông tin rò rỉ cũng cho biết GPU tích hợp sẽ là Adreno 840, với xung nhịp tối đa đạt 1.35GHz – một sự nâng cấp nhẹ so với Adreno 830 của Snapdragon 8 Elite hiện tại (1.1GHz).

Mặc dù mức tăng hiệu năng này rất ấn tượng, nhưng các chuyên gia cho rằng đây không phải là một bước đột phá như thế hệ Snapdragon 8 Elite đầu tiên. Nguyên nhân là do Gen 1 đã mang đến hai thay đổi lớn: sự ra mắt của nhân Oryon mới và quy trình sản xuất 3nm tiên tiến. Trong khi đó, Snapdragon 8 Elite Gen 2 vẫn sử dụng nhân Oryon và tiếp tục với quy trình 3nm. Điều này cho thấy Qualcomm đang tập trung vào việc tối ưu hóa thay vì phát triển lại từ đầu.

Được biết, Snapdragon 8 Elite Gen 3 sẽ chuyển sang quy trình sản xuất 2nm vào năm 2026, hứa hẹn sẽ mang đến một cuộc cách mạng thực sự về hiệu năng trong tương lai.